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ULN2003V12DR
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 7CH 16SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：ULN2003V12DR制造商：TI（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 7CH 16SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：-FET功能：-漏源电压（Vdss）：-25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：-工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购ULN2003V12DR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
