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LMG1210RVRR
制造厂商：TI
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：19-WFQFN
技术参数：IC GATE DRVR GAN MOSFET
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技术参数详情：
制造商产品型号：LMG1210RVRR制造商：TI（德州仪器，Texas Instruments）描述：IC GATE DRVR GAN MOSFET产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：独立式驱动器数：2栅极类型：N 沟道 MOSFET电压-供电：4.75V ~ 5.25V，6V ~ 18V逻辑电压?-VIL，VIH：-电流-峰值输出（灌入，拉出）：1.5A，3A输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：200V上升/下降时间（典型值）：500ps，500ps工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼产品封装：19-WFQFN现在可以订购LMG1210RVRR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
