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CSD86360Q5D
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD86360Q5D制造商：TI（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：50A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2060pF @ 12.5功率-最大值：13W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerLDFN现在可以订购CSD86360Q5D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
