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CSD23280F3T
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-PICOSTAR
技术参数：MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD23280F3T制造商：TI（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：FemtoFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.8A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：116 毫欧 @ 400mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：0.95V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.23nC @ 4.5VVgs（最大值）：-6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：234pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：3-PICOSTAR现在可以订购CSD23280F3T，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
