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CSD18511KTTT
  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DDPAK/TO-263-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD18511KTTT
  • 制造商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):110A(Ta),194A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5940pF @ 20V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):188W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DDPAK/TO-263-3
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