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CSD16323Q3C
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SON-EP（3x3）
技术参数：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD16323Q3C制造商：TI（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 24A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5VVgs（最大值）：+10V，-8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 12.5VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SON-EP（3x3）现在可以订购CSD16323Q3C，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
